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存儲芯片高低溫老化試驗箱

UFS4.1作為新一代高性能存儲協議，對芯片的高低溫耐受性、長期穩定性提出了嚴苛要求。上海柏毅試驗設備有限公司深耕環境試驗設備領域，為存儲芯片頭部客戶量身打造B-T-434C型UFS4.1存儲芯片高低溫老化試驗箱，性能匹配存儲芯片的老化測試需求，為芯片量產前的可靠性驗證筑牢技術屏障。

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UFS4.1存儲芯片高低溫老化試驗箱

B-T-434D高低溫老化試驗箱是上海柏毅專為UFS4.1存儲芯片研發定制。滿足存儲芯片巨頭客戶6層BIB板的同步測試需求，每層可搭載40個被測件，單被測件4W發熱量下總熱負載可控在960W內，實現多器件批量高效測試。

這款高低溫老化試驗箱不僅滿足了新一代存儲芯片的嚴苛測試要求，更以定制化、高精度、高穩定性的特點，成為存儲芯片行業高低溫老化測試的樣板產品。未來，上海柏毅將繼續聚焦半導體領域的測試需求，持續創新技術與產品，為半導體芯片的可靠性驗證提供更專業、更高效的環境試驗設備支持。

高低溫老化試驗箱技術參數

類別	具體參數
產品名稱	高低溫老化試驗箱
型號	B-T-434D
產品用途	滿足6層BIB板測試，每層40個被測件，單被測件4W發熱量，總熱負載≤960W
標稱內容積	434L
內箱尺寸	W700×H1240×D500mm
外型尺寸	W2400×H2000×D1500mm
負載條件	1. 負載總質量：定制不銹鋼/鋁合金托架+6層BIB板+治具，鋁30KG、不銹鋼23KG、FR4板11.6KG； 2. 負載發熱量≤960W； 3. 風速≥8m/s（各層試樣空氣流動通道中心點平均值）
溫度范圍	-60℃～+150℃
溫度波動度	≤±0.5℃
溫度偏差	≤±2.0℃
溫度均勻性	±3℃（滿載），每層老化板支架增設1個采樣點
升溫時間	25℃→125℃，≥2℃/min
降溫時間	25℃→-45℃，≥1℃/min
功率/電流	功率約22KW，電流55A
噪音	≤68dB(A)（測試點：水平離噪音源1米，高度離地面1米），箱體內加裝吸音棉

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類別	具體參數
產品名稱	高低溫老化試驗箱
型號	B-T-434D
產品用途	滿足6層BIB板測試，每層40個被測件，單被測件4W發熱量，總熱負載≤960W
標稱內容積	434L
內箱尺寸	W700×H1240×D500mm
外型尺寸	W2400×H2000×D1500mm
負載條件	1. 負載總質量：定制不銹鋼/鋁合金托架+6層BIB板+治具，鋁30KG、不銹鋼23KG、FR4板11.6KG； 2. 負載發熱量≤960W； 3. 風速≥8m/s（各層試樣空氣流動通道中心點平均值）
溫度范圍	-60℃～+150℃
溫度波動度	≤±0.5℃
溫度偏差	≤±2.0℃
溫度均勻性	±3℃（滿載），每層老化板支架增設1個采樣點
升溫時間	25℃→125℃，≥2℃/min
降溫時間	25℃→-45℃，≥1℃/min
功率/電流	功率約22KW，電流55A
噪音	≤68dB(A)（測試點：水平離噪音源1米，高度離地面1米），箱體內加裝吸音棉